其能带的结构特点是:价带及以下能带均被电子充满,导带是空带。在温度T=0K时，只是禁带宽度∆E很窄,约为0.1~1.5eV;在温度T>0K时,电子热激发能从满带跃迁到空带,使空带成为导带,同时在满带中产生空穴;外加电场后,电子和空穴从低能级跃迁到高能级而形成电流,因此半导体具有导电性。如硅、锡、锗,硼等元素,硒、碲、硫的化合物，各种金属氧化物等物质都是半导体。半导体的能带结构如图2-5所示。
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