日本154~500kVXLPE电缆绝缘厚度制造年度变化
促成绝缘减薄的主要因素是提高绝缘的最低击穿场强水平。他依赖于制造工艺技术的改进状况,或基本制造条件(如干法交联、三层共挤)未变,但当改善绝缘弱点提高到较严格的质量目标监控水平时,就有助于绝缘减薄跨出新的一步。如杂质由50μm限制至20μm,工频击穿场强可相应由50kV/mm增至64kV/mm。
日本154~500kVXLPE电缆绝缘厚度制造年度变化
促成绝缘减薄的主要因素是提高绝缘的最低击穿场强水平。他依赖于制造工艺技术的改进状况,或基本制造条件(如干法交联、三层共挤)未变,但当改善绝缘弱点提高到较严格的质量目标监控水平时,就有助于绝缘减薄跨出新的一步。如杂质由50μm限制至20μm,工频击穿场强可相应由50kV/mm增至64kV/mm。