1.半导体少长针消雷装置
半导体少长针消雷装置（SemiconductorLightningEliminator，简称SLE）是在避雷针的基础上发展起来的，是一种能降低雷电流幅值和陡度的新型防直击雷装置。它由5～19根半导体针组成，向上呈辐射状安插在数个垂直交叉的扇面上，同一扇面相邻两针间的夹角为20°～25°。每根半导体针长约5m,针体电阻为35kΩ，单针闪络电压在1500kv以上。每根针端部有4根30cm长的金属针。半导体少长针可安装在高塔或建筑物的顶部。它的特点在于采用了少长针的形式增大了中和电流，采用半导体电阻按捺了上行雷的发展，并大幅度降低了雷击的主放电电流，从而克服了避雷针或其他防雷设备的不足，庇护范围大，其庇护角为80°（避雷针为45°～56.3°），即地面实际庇护范围为传统避雷针理论值的11倍。半导体针可抗45m/s的风速。可耐室外温度-45～50℃。SLE由半导体针组，接地引下线和接地装置（接地电阻可放宽到30Ω）组成，是目前世界上最先进的防雷装置。
半导体少长针消雷装置SLE的基本原理如下所述。
1）SLE对上行雷的按捺
不雅察表白：建筑物和高塔从下向上发展的雷电比例很高，例如：Berger统计St.Salvatore山上的70m高处的避雷针有70％～80％的雷是由针向上发展的，世界防雷权威美国机构Golde认为：如能消减向上发展的雷电能力，则高塔落雷的总数将大大减少。因此，一个设计良好的消雷装置应具有消减向上发展的雷电能力。实测的结果说明，上行雷的形成需有100A以上的上行导电电流，理论计算、试验、电子计算机仿真及运行经验都证明，半导体针的电阻足以将上行导电电流按捺在几十安以下，从而控制了上行雷先导的发展，按捺了上行雷的形成。所以，可以做到100％的消减上行雷。
2）SLE对雷击次数的消减作用
SLE对雷击次数的消减作用在于电晕电流的中和及空间电荷的屏蔽效应。长期测量表白，地球所带的负电荷是不变的（8.86*10-10C/m2)。由于自然界存在的各种电晕电流（树木、各种建筑物的尖端放电等）已将雷云中和了很大一部分，我们所感受的雷只不外是自然消雷后剩余部分。由此，消雷的机理是存在的。古塔防雷也说明了这一点。中国18省市有160座砖石或木结构占塔，计103904塔年，调查结果表白，古塔理论雷击总数为10033次，但据史记载仅有45次，且损失甚微。
理论计算、试验和现场实测说明：产生足够中和电流的强大动力是雷云电场本身。SLE由于本身结构和设计充分利用了雷云电场强大动力，从而产生强烈的中和电流。实测说明，SLE在70m高消雷装置，其在雷云下面平均电场E=40kV/M（相当于2800kV电压作用下的电晕电流）能产生15mA中和电流。强雷时，发出1～2MV的电晕火花，中和电流达安培级以上。同这些电晕电流相应的电荷只要中和雷云电荷的一小部分，使雷云电场减到放电电流极限以下，就能有效的防止雷击发生。
